Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора




НазваниеПолупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора
Дата конвертации28.05.2013
Размер444 b.
ТипПрезентации


Полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП-транзисторов


Конструкция МДП транзистора

  • Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором управление током, протекающим между двумя электродами, достигается с помощью напряжения, приложенного к третьему.

  • Электроды, между которыми протекает рабочий ток, носят название истока и стока. Третий электрод называется затвором.



МДП-Транзистор как элемент памяти

  • Рассмотрим цепочку, состоящую из последовательно соединенного нагрузочного сопротивления и полевого транзистора с изолированным затвором.

  • Если в такой схеме МДП-транзистор открыт, сопротивление его канала составляет десятки или сотни Oм, все напряжение питания падает на нагрузочном сопротивлении RН и выходное напряжение Uвых близко к нулю.

  • Если МДП-транзистор при таком соединении закрыт, сопротивление между областями истока и стока велико, всё напряжение питания падает на транзисторе и выходное напряжение Uвых близко к напряжению питания Uпит. На основе системы резистор – МДП-транзистор легко реализуется элементарная логическая ячейка с двумя значениями: ноль и единица.



МДП-Транзистор как элемент энергозависимой памяти.

  • Одним из недостатков приведенной элементарной ячейки информации является необходимость подведения на всё время хранения информации напряжения к затворному электроду. При отключении напряжения питания записанная информация теряется. Этого недостатка можно было бы избежать, если в качестве МДП-транзистора использовать такой транзистор, у которого регулируемым образом можно было бы менять пороговое напряжение VT.

  • Величина порогового напряжения VT определяется уравнением:



Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие устройства

  • Как видно из этого уравнения, для изменения величины порогового напряжения VT необходимо:

  • а) изменить легирование подложки;

  • б) изменить плотность поверхностных состояний Nss;

  • в) изменить встроенный в диэлектрик заряд Qох;

  • г) изменить напряжение смещения канал подложка VSS.

  • Поскольку информацию в ячейку необходимо перезаписывать многократно, случаи а) и б) для этого оказываются непригодными. Случай г) не подходит вследствие того, что при отключении напряжения информация не сохраняется.

  • Таким образом, для реализации энергонезависимого РПЗУ необходим МДП транзистор, в котором обратимым образом было бы возможно изменять пороговое напряжение VT за счет изменения встроенного в диэлектрик заряда Qох.



Конструкция МНОП-транзистор

  • Наиболее распространенными РПЗУ, являются РПЗУ на основе полевых транзисторов со структурой металл – нитрид – окисел – полупроводник (МНОП транзисторы)



МОП-Транзистор с плавающим затвором

  • Полевой транзистор с плавающим затвором по принципу работы и устройству похож на МНОП транзистор. Только в транзисторах с плавающим затвором инжектированный заряд хранится на плавающем затворе, находящемся между первым и вторым подзатворными



Полупроводниковое запоминающее устройство на сонове МДП-транзисторов на примере FLASH-памяти

  • Флэш-память - особый вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти.

  • В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, ячейка флэш-памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памяти состоит всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит информации.

  • Надёжность/долговечность: информация, записанная на флэш-память, может храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), и способна выдерживать значительные механические нагрузки (в 5-10 раз превышающие предельно допустимые для обычных жёстких дисков). Итак, благодаря низкому энергопотреблению, компактности, долговечности и относительно высокому быстродействию, флэш-память идеально подходит для использования в качестве накопителя в таких портативных устройствах.



Похожие:

Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconДоклад на тему Полевые транзисторы Устройство мдп транзисторов
Термин «мдп-транзистор» используется для обозначения полевых транзисторов, в которых управляющий электрод (затвор) отделен от активной...
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconПоддерживать устойчивость системы мдп во всем мире Поддерживать устойчивость системы мдп во всем мире
Отвечать требованиям упрощенных деклараций, предусмотренным обновленным таможенным кодексом ес (Безопасность и предварительное информирование...
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconДействует во всем мире
Таможенном союзе завершено 1 671 816 перевозок = 55% всех завершенных перевозок мдп
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconДгу мощностного ряда 11-55 kva конструкция дгу – исполнение в кожухе
В качестве опции возможна поставка зарядного устройства аккумуляторных батарей, смонтированного на дгу
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconЦель работы: изучение устройства и принципа действия гироскопа. Цель работы: изучение устройства и принципа действия гироскопа
Изучить устройство и принцип действия приборов ответственных за полет ракеты, в основе которых используется гироскоп
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconУстройства ввода информации Устройства ввода
Это устройства преобразования информации из формы, понятной человеку, в форму, понятную компьютеру
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconComplex object конструкция сложное дополнение после глаголов want и would like
В английском языке существует конструкция, называемая «сложным дополнением». Она состоит из двух частей: в английском языке существует...
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconЭти устройства должны выполнять три основные функции, представленные на рис. 1
К первому классу относятся устройства, предназначенные для определения порогового, предельного или приблизительного мгновенного значения...
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconНовая революционная конструкция дымовой камеры обеспечивает: Новая революционная конструкция дымовой камеры обеспечивает
Уменьшение влияния осаждения пыли, и тем самым минимизирует требования по техническому обслуживанию
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе мдп-транзисторов Конструкция мдп транзистора iconЗнакомство с компьютером
...
Разместите кнопку на своём сайте:
hnu.docdat.com


База данных защищена авторским правом ©hnu.docdat.com 2012
обратиться к администрации
hnu.docdat.com
Главная страница